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Intel与美光的合资企业Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)日前表示，采用25nm新工艺的NAND闪存芯片已经开始批量出货，相信不久后我们就能够看到采用该颗粒的固态硬盘、U盘、存储卡等产品。
Intel和美光2010年2月宣布，开始试产25nm工艺闪存这一制程据称比竞争对手至少领先一年。近日首先量产的25nm颗粒为8GB(64Gb)容量MLC NAND闪存，采用沉浸式光刻技术，核心面积167mm2。支持开放式NAND闪存接口ONFi 2.2，界面速度最高可达200MB/s，页面(page)尺寸从50/34nm时代的4KB翻番到了8KB，块(Block)尺寸从128个页面加倍到256个页面，读写性能预计将有显著提升。 |
